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全面解析TFT明升屏的技术特点

类别:平台动态 文章出处:http://www.ritterlawn.com/发布时间:2018-03-09 浏览人次:

  前面有篇文章讲到《什么是TFT薄膜电晶体?》,里面详细的介绍了什么是TFT明升屏,今天我们接着来料TFT明升屏的技术特点,更全面的来了解TFT明升屏。


  TFT技术是二十世纪九十年代发展起来的,采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术,是液晶(LC)、无机和有机薄膜电致发光(EL和OEL)平板明升器的基础。TFT明升屏是在玻璃或塑料基板等非单晶片上(当然也可以在晶片上)通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜,通过对膜的平台制作大规模半导体集成电路(LSIC)。采用非单晶基板可以大幅度地降低成本,是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方向的延伸。在大面积玻璃或塑料基板上制造控制像元(LC或OLED)开关性能的TFT明升屏比在硅片上制造大规模IC的技术难度更大。对生产环境的要求(净化度为100级),对原材料纯度的要求(电子特气的纯度为99.999985%),对生产设备和生产技术的要求都超过半导体大规模集成,是现代大生产的顶尖技术。其主要特点有:


大面积


  九十年代初第一代大面积玻璃基板(300mm×400mm)TFT-LCD生产线投产,到2000年上半年玻璃基板的面积已经扩大到了680mm×880mm),最近950mm×1200mm的玻璃基板也将投入运行。原则上讲没有面积的限制。


高集成度


  用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的平台为XGA含有百万个像素。平台为SXGA(1280×1024)的16.1英寸的TFT阵列非晶体硅的膜厚只有50nm,以及TAB ON GLASS和SYSTEM ON GLASS技术,其IC的集成度,对设备和供应技术的要求,技术难度都超过传统的LSI。

TFT明升屏.jpg

功能强大


  TFT明升屏最早作为矩阵选址电路改善了液晶的光阀特性。对于高平台明升器,通过0-6V范围的电压调节(其典型值0.2到4V),实现了对象元的精确控制,从而使LCD明升屏实现高质量的高平台明升成为可能。TFT-LCD是人类历史上第一种在明升质量上超过CRT的平板明升器。现在人们开始把驱动IC集成到玻璃基板上,整个TFT明升屏的功能将更强大,这是传统的大规模半导体集成电路所无法比拟的。


低成本


  玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题,为大规模半导体集成电路的应用开拓了广阔的应用空间。


工艺灵活


  除了采用溅射、CVD(化学气相沉积)MCVD(分子化学气相沉积)等传统工艺成膜以外,激光退火技术也开始应用,既可以制作非晶膜、多晶膜,也可以制造单晶膜。不仅可以制作硅膜,也可以制作其他的Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜。


应用领域广泛


  以TFT技术为基础的液晶平板明升器是信息社会的支柱产业,也技术可应用到正在迅速成长中的薄膜晶体管有机电致发光(TFT-OLED)平板明升器也在迅速的成长中。


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